物质学院冯继成课题组开发出下一代芯片金属互连智造方案
随着集成电路尺寸不断缩小,传统的铜互连因电阻尺寸效应严重而面临严峻的性能挑战。在10纳米线宽下,铜互连的电阻率可达块体材料的数十倍,严重制约芯片性能提升。寻找新一代互连金属及其加工方案成为行业迫切需求。Ir、Ru、Rh等金属因其电阻尺寸效应较弱、可靠性好,被称为有望取代Cu的“下一代互连金属”,然而这些金属材料的加工方案尚不成熟。在此背景下,上海科技大学物质科学与技术学院冯继成课题组成功开发出用于下一代芯片金属互连“自下而上”增材加工的新方案。相关研究成果以“Wafer-scale nanoprinting of 3D interconnects beyond Cu”为题发表于国际学术期刊ACS NANO, 并被选为增选封面(Supplementary Cover)。 本工作开发了不受材料限制,且兼具纳米级加工精度与晶圆级加工通量的新型金属互连方案,利用其加工的Au、Ir与Ru三维金属互连可达到理论预测的导电性能。该方法利用“人工闪电”创制等离子体氛围下的金属纳米颗粒,通过气流将其...
2025-07-04