磁随机存储器（MRAM）基于磁性材料的磁阻状态实现信息存储，在高性能数据存储与计算领域显示出广阔的应用前景。随着信息数据量的持续增长，对存储器件的集成密度和读写速度提出了更高要求。反铁磁材料因其独特的物理性质，被视为下一代存储技术的重要候选材料，展现出显著的发展潜力。该工作基于原子尺度自旋模型，对反铁磁材料中超快激光诱导的全光磁翻转动力学过程进行了模拟与机理分析。揭示了在飞秒激光脉冲作用下系统发生超快退磁后各 IrMn 晶粒超快动力学行为以及全光磁翻转效率的影响因素，相关结果有助于开发下一代超快自旋电子器件。

嘉宾介绍：王君林，广东工业大学集成电路学院特聘教授、硕士生导师。获澳门科技大学理学学士学位，英国约克大学电子工程专业哲学博士学位，曾在英国约克大学担任博士后研究员。主要从事磁性随机存储器、自旋存算一体器件、原子尺度自旋动力学模型等研究。在《Advanced Materials》、《ACS Nano》、《Applied Physics Letters》等权威期刊上发表学术论文近30篇。长期担任领域权威期刊《Nature Communications》、《Applied Physics Letters》等期刊审稿人。