磁斯格明子是一种拓扑稳定的自旋分布，具有纳米尺度、类粒子性和驱动电流小等特性，被广泛认为是下一代高密度信息存储设备的基本单元。周艳教授团队从新材料体系拓扑磁结构、拓扑磁结构的产生/输运/调控、原型器件构筑和设计三大方面开展了系列前瞻性研究,主要包括：（1） (单相+人工合成)反铁磁、亚铁磁、阻挫体系的拓扑磁结构。在这种体系里，磁斯格明子的旋度(helicity)作为一个新的自由度可以被多场调控，进而设计新型的功能器件。 （2）致力于解决磁斯格明子在应用角度的关键性问题 — 磁斯格明子霍尔效应，这种效应导致磁斯格明子作为信息载体的湮灭，进而导致自旋拓扑功能性器件的失效。（3）提出基于磁斯格明子的赛道存储器、逻辑电路、微波源器件、拓扑类脑计算重要概念，这些领域已经成为研究热点。