高质量、长相干的量子比特是实现量子计算的重要物理条件之一。对于超导量子电路的技术路径，由于其环境敏感特性，退相干方面的研究一直备受关注。本报告具体介绍我们在超导量子比特介电损耗机理上的研究发现，成功实现了基于TiN-sapphire体系的长相干量子比特，为后续高精度量子门操控、和大规模超导量子处理器的开发提供了物理基础。

邓昊，本科毕业于北京大学，博士毕业于普林斯顿大学。博士期间，主攻二维电子气量子霍尔效应、多体量子态及相变、高质量量子阱分子束外延。曾就职于阿里巴巴达摩院量子实验室，领导团队开展超导量子电路退相干机理和精密计量学研究。目前在北京大学量子材料科学中心担任访问学者，研究方向包括电路量子电动力学，二维电子系统-超导量子电路混合体系，二维电子系统量子相态及相变，量子计算等。