在全GaN基外延上实现互补逻辑与高低压单片集成是目前功率集成电路发展的重要趋势。本次讲座将围绕GaN基互补逻辑的实现、器件建模与器件稳定性提升技术，分别报告课题组在以下几方面的研究进展：(1) p-GaN栅高电子迁移率晶体管(HEMT)阈值电压稳定性提升技术；(2) GaN基pFET实现及其阈值电压稳定性提升技术；(3) 高精度HEMT器件建模技术；(4) GaN基驱动-功率单片集成电路设计。

任开琳，上海大学微电子学院副教授、博士生导师，2021年12月入选上海市白玉兰人才计划，博士毕业于新加坡国立大学微电子学专业。研究方向包括氮化镓基功率半导体器件及功率集成电路、集成电路先进节点器件仿真与建模。近五年在IEEE EDL、IEEE T-ED、APL、JAP等微电子领域权威期刊上发表SCI论文二十余篇，主持国家自然科学基金青年项目一项、上海市自然科学基金面上项目一项，参与了上海市“科技创新行动计划”高新技术领域项目、新加坡教育部创新研究基金等多个纵向项目及海外企业横向项目。