氮化物宽禁带半导体中位错及层错新奇物性的原子尺度研究

以GaN、AlN为代表的纤锌矿结构氮化物是宽禁带半导体的代表材料，已在现代电力电子、光电子器件中有重要应用。但由于人工生长氮化物中存在大量位错、层错等晶体缺陷，现代GaN（AlN）基器件性能远未达到材料本征物理极限，而上述缺陷难以消除的原因之一在于对位错及层错等基本缺陷的微观结构及基本物性仍缺乏系统认识。本次报告将基于原子分辨透射电子显微镜、双光子光致发光位错重构等先进表征方法，重点分享氮化物半导体中费米能级调控位错反常移动和柱面层错自组装形成纳米畴等新奇现象，通过晶体学及热力学的系统分析，在原子尺度揭示位错、层错的相关物性。