物质学院陈宇林-柳仲楷组实现本征反铁磁拓扑绝缘体电子结构调制优化
近日,上海科技大学物质学院陈宇林-柳仲楷课题组在拓扑量子材料电子结构调控研究中取得重要进展:通过原位碱金属掺杂方式,在本征反铁磁拓扑绝缘体MnBi2Te4中获得简化的拓扑电子结构。该成果在国际知名学术期刊Nano Letters上在线发表。磁性拓扑绝缘体是当前凝聚态物理研究的重要体系,它是量子反常霍尔效应、轴子绝缘态、拓扑超导等重要应用的基础材料。MnBi2Te4体系具有较高的反铁磁有序温度 (25K) 和适中的拓扑能隙(~0.2 eV),是目前最具代表性的本征磁拓扑绝缘体,但该材料呈现的远低于反铁磁转变温度的量子反常霍尔效应临界温度(~1.5 K)的原因仍不为所知,解释电子谱学与输运和理论研究之间的“矛盾”也是该材料研究中的另一挑战。为加深对此类材料电子结构的理解,并获得简单、性能优异的拓扑电子结构,课题组基于前期工作(Phys Rev X 9, 041040 (2019),Science Bulletin 65, 2086 (2020)),利用上科大实验室自主研发的高分辨小光...
2022-09-13