物质学院齐彦鹏课题组与合作者在拓扑半金属ZrTe2中发现压力诱导的超导电性与拓扑相变
近期,上海科技大学物质科学与技术学院拓扑物理实验室齐彦鹏课题组联合北京理工大学王秩伟团队在拓扑半金属ZrTe2中发现压力诱导的超导电性及拓扑转变,成果发表于国际学术期刊《先进科学》(Advanced Science)。二维过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides, TMDCs)是继石墨烯之后的新型范德瓦耳斯材料,其天然的二维特性以及强自旋轨道耦合作用(spin-orbital coupling, SOC)带来了诸如金属-绝缘体转变、电荷密度波(charge density wave, CDW)、能谷电子学特性、非常规超导电性等新颖物理性质,使这类材料成为研究低维量子物理和新一代电子器件的又一理想平台。ZrTe2是一种典型的过渡金属二硫族化合物,近期研究表明其在常压下具有非平庸的拓扑性质,通过Cu、Ni等元素插层也可以在ZrTe2中引入超导电性。这些特点使得ZrTe2成为实现拓扑超导的候选材料之一。图1| ZrTe2压力下的输运测试。 高压处理可在不引入无序的条件下改变材料的晶体结构、...
2024-02-22