信息学院哈亚军课题组提出低温真三值存内逻辑宏单元

随着天基大模型推理以及量子计算控制系统等应用的发展，低温环境下的数据存储、数据搬运和计算效率问题逐渐受到关注。低温存内逻辑是面向数据密集型计算和低温计算系统的一类探索性技术方案。通过在存储阵列中引入逻辑计算功能，有望在一定程度上减少数据搬运开销，并提升存储与计算资源的利用效率。

针对现有低温存内计算设计多以二值逻辑为主、对三值逻辑在信息密度和计算效率方面的潜在优势利用有限的问题，上海科技大学信息科学与技术学院哈亚军课题组与合作单位提出了一种基于eDRAM 的低温真三值存内逻辑宏单元 CTLIM。成果以“CTLIM: A 1.92 Mb/mm² 4T1C eDRAM Macro for Area-Efficient Cryogenic Ternary Logic-in-Memory”为题被集成电路领域国际学术期刊IEEE Journal of Solid-State Circuits（JSSC）接收。该设计面向77 K 低温环境，可在存储阵列内部实现三值数据的存储、读取及多种三值逻辑运算，为低温存算融合电路提供了一种新的设计方案。

图1 CTLIM整体架构示意图

图2 CTLIM测试芯片图及低温实验结果

信息学院2024级博士研究生宁斌为论文第一作者，信息学院寇煦丰教授为论文合作作者，哈亚军教授和南京航空航天大学束宇豪副教授（我校2025届博士毕业生）为论文共同通讯作者。